特种陶瓷材料反映烧结方法

　　特种陶瓷材料反应烧结(ReactionSintering，RS或ReactionBanding，RB1目前反应烧结仅限于少量几个特种陶瓷材料体系：反应烧结氮化硅(si2N2)，氧氮化硅(si2ON2)和碳化硅(sic)等。特种陶瓷材料反应烧结Sil2N2是将多孑L硅压坯在1400℃左右和烧结气氛N2发生反应生成Si3N3由于是放热反应，所以正确控制反应速度是十分重要的。如果反应速度过高，将会使特种陶瓷材料坯块局部温度超过硅的熔点。这样一方面阻碍反应的进一步进行，另一方面使特种陶瓷材料反应的产物形成粗大的晶粒。随着特种陶瓷材料反应的进行，氮气扩散愈来愈困难，所以反应很难彻底，特种陶瓷材料产品相对密度较低，一般只能达到90％左右。

　　特种陶瓷材料反应烧结si2ON2是将Si、SiO2和CaF2(或CaO、MgO等玻璃形成剂)混合，特种陶瓷材料压成压坯，在高温下si与烧结气氛发生反应，caF2、CaO、MgO等与SiO2形成玻璃相。特种陶瓷材料氮溶解人熔融的玻璃中，Si2ON2晶体从被氮饱和的玻璃相中析出。特种陶瓷材料反应烧结氧氮化硅的密度可大于90％。

　　反应烧结SiC是将SiC—C多孔坯块用液态硅浸渍反应而制成的。特种陶瓷材料反应烧结的特点是坯块在烧结过程中尺寸基本不变，可制得尺寸精确的特种陶瓷材料制件，同时工艺简单、经济，适于特种陶瓷材料大批量生产。缺点是特种陶瓷材料力学性能不高，这是由于密度较低所造成的。
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