陶瓷反应烧结法和直接氧化法_技术资料【科众陶瓷】

反应烧结法是化学反应法制备陶瓷基复合材料的方法之一。采用反应烧结的方法制备陶瓷基复合材料，除基体材料几乎无收缩外，还具有以下优点：增强剂的体积比可以相当大；可用多种连续纤维预制体；大多数陶瓷基复合材料的反应烧结温度低于陶瓷烧结温度，因此可避免纤维的损伤。此方法最大的缺点是高气孔率难以避免。采用反应烧结法制备陶瓷基复合材料，例如SiC/Si3N，复合材料，其工艺直接氧化法是另外一种通过化学反应制备陶瓷基复合材料的方法。它是将陶瓷纤维预成型件置于熔融金属的上面，通过选择合适的金属种类与成分、炉体温度和气氛，使浸渍至纤维织物中的金属与气氛发生反应而形成陶瓷基体沉积于纤维表面，形成含有少量残余金属的致密陶瓷基体。一般按部件形状制备增强体预制体，将隔板放在其表面上以阻止基体材料的生长。熔化的金属在氧气的作用下发生直接氧化反应形成所需的反应产物。由于在氧化产物中的空隙管道的液吸作用，熔化金属会连续不断地供给到生长前沿，从而持续制备复合材料。例如，对于液态金属铝，由于气氛的不同，可分别形成基体不同的陶瓷基复合材料：Al+空气-氧化铝陶瓷，Al+氮气—AlN。

直接氧化法制备陶瓷基复合材料其特点为成型温度较低、制备的复合材料室温和高温力学性能较好、生产效率较高及成本较低，是一种很有工业应用前景的陶瓷基复合材料制备工艺。由于这种工艺最早由美国的I。anxide公司发明，因而又称为Idanxide法。

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本文“陶瓷反应烧结法和直接氧化法”由科众陶瓷编辑整理，修订时间：2019-03-16 14:43:19
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