工业陶瓷氮化铝粉体原料制备工艺介绍

工业陶瓷氮化铝具有非常优越的导热性能，所以它常被用来作陶瓷基片或者陶瓷基板，可用于一些集成电路中，下面科众陶瓷厂会给大家介绍其粉体原料的制备工艺。

氮化铝陶瓷具有优异的导热性能，热膨胀系数接近硅且无毒，被视为新一代电子封装材料，非常适用于混合功率开关的封装以及微波真空管封装壳体材料，同时也是大规模集成电路基片的理想的材料，这也是AIN陶瓷的主要用途。

一块高导热氮化铝陶瓷基片的制备工艺主要由：氮化铝粉体制备、成型工艺和烧结工艺这三个方面有关。

氮化铝陶瓷基板：适用于大功率LED封装散热基板、IGBT功率模块以用薄膜印刷电路
一、粉体制备
氮化铝陶瓷的优良性能与原材料粉体的性能有着直接的关系，高性能AIN粉体是制备高热导率AIN陶瓷的关键。制备AIN粉体的方法有很多种（见下表1），也都存在各自的不足，但他们都有一个共同点就是成本较高。

综合来看，氧化铝粉碳热还原法和铝粉直接氮化法比较成熟，已经用于工业化大规模生产，成为当前高性能AIN陶瓷原料的主流制备工艺。目前掌握高性能AIN粉生产技术的厂家并不多，主要分布在日本、德国和美国。

这其中日本德山曹达公司采用的氧化铝粉碳热还原法生产的AIN粉被全球公认为质量最好，性能最稳定，基本占据了AIN粉市场。日本东芝，京瓷公司，住友电子等大部分基板和封装都在使用该AIN粉。此外，美国DOW化学公司也掌握了氧化铝粉碳热还原法生产AIN粉技术。日本东洋铝公司则采用成本相对较低的铝粉直接氮化法生产AIN粉，性能也挺好，热导率也能稳定在170W/m•K以上。优质的AIN粉及品质一般的氮化铝粉的区别见下表分析。

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本文“工业陶瓷氮化铝粉体原料制备工艺介绍”由科众陶瓷编辑整理，修订时间：2021-10-16 14:46:42
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