碳化硅陶瓷环的优势及其简介

上面几篇文章科众陶瓷厂带大家了解了氮化硅陶瓷的一些性能以及其优势，碳化硅因跟氮化硅的组成元素有一个不同，所以导致它们性能也有所不同，接下来让给我们一起了解下碳化硅陶瓷以及用碳化硅做成的陶瓷环。

碳化硅陶瓷环

碳化硅(SiC)陶瓷,具有抗氧化性强,耐暦性能好,硬度高,热稳定性好,高温强度大,热膨胀系数小,热导率大以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。用碳化硅制成的陶瓷环同样具备碳化硅陶瓷的多种优良性能

因此,已经在石油、化工、机械、航天、核核能等领域大显身手,日益受到人们的重视。可根据客户要求进行结构陶瓷加工。例例如,SiC陶瓷可用作各类轴承、滚珠、喷嘴、密封件、、切切削工具、燃汽涡轮机叶片、涡轮增压器转子、反射屏和火箭燃烧室内衬等等。并且可根据客户要求进行结构陶瓷加工。

SiC陶瓷的优异性能与其独特结构密切相关。SiC是共价键很强的化合物,SiC中Si-C键的离子性仅12%左右。因此,SiC强度高、弹弹性模量大,具有优良的耐磨损性能。纯SiC不会被HCI、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等碱溶液侵蚀。在空气中加热时易发生氧化,但氧化时表面形成的SiO2会抑制氧的进一步扩散,故氧化速率并不高。在电性能方面,SiC具有半导体性,少量杂质的引入会表现出良好的导电性。此外,SiC还有优良的导热性。

碳化硅陶瓷环

SiC具有a和β两种晶型。β-SiC的晶体结构为立方晶系,Si和C分别组成面心立方晶格;a-SiC存在着4H、15R和6H等100余种多型体,其中,6H多型体为工业应用上最为普遍的一种。

在SiC的多种型体之间存在着一定的热稳定性关系。在温度低于1600℃时,SiC以β-SiC形式存在。当高于1600℃时,β-SiC缓慢转变成a-SiC的各种多型体。4H-SiC在2000℃左右容易生成;15R和6H多型体均需在2100℃C以上的高温才易生成;对于6H-SiC,即使温度超过2200C,也是非常稳定的。SiC中各种多型体之间的自由能相差很小,因此,做量杂质的固溶也会引起多型体之间的热稳定关系変化。所以由此观之碳化硅陶瓷同样可作于耐高温工业陶瓷。