氧化锆陶瓷等离子体加热原理

　　氧化锆陶瓷等离子体加热原理

　　氧化锆陶瓷等离子体烧结是指利用气体放电时形成的高温和电子能量以及可控气氛对材料进行烧结。

　　由于氧化锆陶瓷等离子体瞬间即可达到高温，因而其升温速率可达1000℃/min以上，所以氧化锆陶瓷等离子体烧结技术是一种比较新的实验室用无压快速高温烧结技术。

　　这一方法于1968年被首次用于A1203陶瓷的烧结，经过二十多年的发展，这种方法现已成功地用于各种精细陶瓷，如AI2()3、Y2()3Zr()2、Mg0、SiC等的烧结。

　　氧化锆陶瓷等离子体烧结特点

　　①温度高（可达2000IC或更高），升温速率快（可达100℃/s）；

　　②烧结速度快，约0.5mln之内即可将样品烧结；

　　③烧结速度快能够有效抑制样品的晶粒生长，但同时可能造成样品内外温度梯度及显微结构的不均匀；

　　④过快的升温可能使一些热胀系数较大、收缩量较大的物件在升温收缩过程中开裂；

　　⑤根据等离子体形状，目前以烧结棒状或管状样晶较为合适。